存储芯片缺货再升级,11家核心受益公司汇总
AI热潮带来的存力需求,加剧了全球存储市场的供需缺口。DRAM及NAND闪存市场缺货情况较此前预测更为严峻,预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。继闪迪、美光、三星和西部数据宣布涨价之后,存储模组大厂威刚日前宣布,自2025年9月29日起停止DDR4
AI热潮带来的存力需求,加剧了全球存储市场的供需缺口。DRAM及NAND闪存市场缺货情况较此前预测更为严峻,预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。继闪迪、美光、三星和西部数据宣布涨价之后,存储模组大厂威刚日前宣布,自2025年9月29日起停止DDR4
其实在2025年的存储赛道里,判断标的成色有个“黄金标准”:是否同时进入长江存储和长鑫存储的供应链。这两家被称为“国产存储双雄”的巨头,一个主攻3D NAND打破美光垄断,一个聚焦DRAM实现国产突破,供应链准入门槛堪比“半导体界高考”。能同时拿到两家订单的公
北方华创:是长鑫存储的核心设备商,提供刻蚀机、薄膜沉积设备等,覆盖长鑫存储 5nm 以下先进制程,市占率超 50%。同时,北方华创也为长江存储提供设备,已通过长江存储 294 层 NAND 产线验证,批量导入武汉新芯 HBM 项目,覆盖刻蚀、PVD、CVD 全
兆易创新通过增资持有长鑫科技约1.88%股权,且其DRAM产品由长鑫存储独家代工,2025年关联交易预计达11.61亿元。双方合作开发3D DRAM,合作产品已通过小米、华为测试,计划2025年下半年量产。长鑫存储合肥二期工厂30%的产能优先供应兆易创新,双方
SK海力士亮出了321层的王牌,铠侠与闪迪更是联手宣告要冲击332层。在这场近乎疯狂的“摩天大楼”竞赛中,大家似乎默认了游戏规则:谁叠得更高,谁就拥有未来。
国产存储芯片巨头长江存储的母公司——长江存储科技控股有限责任公司已于近日完成股份制改造,估值超1600亿元。其全资子公司长江存储作为国产3D NAND闪存市场的“龙头”,是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业(垂直整合制
人工智能热潮下,近期半导体业利好频出,二级市场股价持续表现。虽然周五有所调整,但业内人士认为,科技是长期主线,只要大趋势不破位,调整之后仍是机会,且接下来还能够吃到大肉。展望后市,半导体设备材料的国产化率长期将提升,相关公司业绩提升是大趋势,而在全球半导体景气
9月的A股科技板块暗流涌动,半导体设备、AI算力等赛道接连迎来政策与行业利好。SEMI刚发布的数据显示,2025年二季度中国大陆半导体设备销售额达113.6亿美元,以34.3%的全球份额稳居第一。在这片火热的市场中,不少A股公司喊出"全球第一"的口号,但真正能
IC制造作为先进制造业的核心,一直是推动科技进步与产业升级的关键力量。由SEMI中国主办的“IC制造发展产业链论坛”今日在北京亦庄举行,百名产业专家齐聚,共同聚焦刻蚀、离子注入、ASD、OHT、OVL测量、超精密光刻物镜与绿色机能水七大技术,分享最新突破与产业
平时选科技股,是不是总被各种“龙头”绕晕?一会儿这家喊“半导体老大”,一会儿那家吹“AI领军”,打开行情软件翻半天,好像每家都有点亮点。可真要较真:谁能实实在在拿“全国第一”,还能在全球市场站稳脚跟,甚至冲到“世界第一”?谁又能在科技卡脖子的关键处扛事儿,称得
2025 年上半年,中国半导体设备产业交出了一份震撼全球的成绩单:国产设备市场份额首次突破 40%,进口额同比骤降 28%。在全球设备市场格局中,北方华创已稳坐第七把交椅,成为前十榜单中唯一的中国企业,打破了 ASML、应用材料等国际巨头长达数十年的垄断。
然而,2025年7月,长江存储扔出“新王炸”:首条全国产化芯片生产线即将试产。
中信证券发布研报称,预计,至少以下三方面的技术趋势将推动刻蚀设备的用量和重要性提升:(1)光刻多重图案化路线的采用,(2)三维堆叠存储和近存计算需求,(3)底层晶体管结构升级。长期看,半导体设备国产化方向明确。短期来看, 2025年国内半导体晶圆厂投资表现相对
每一个芯片可以容纳不同的逻辑电路层数,叫做互连层数。层数越多,芯片占据的面积就越小,成本越低,但同时也要面对更多的技术问题。电路中导体连线数目不断地增多,导致工作时脉跟着变快,由金属连接线造成的电阻电容延迟现象 (RC delay),影响到元件的操作速度。在先
近年来,美国对中国芯片产业的限制不断升级,其核心策略聚焦于半导体设备的出口管制。通过联合日本、荷兰等盟友,美国试图切断中国获取先进半导体设备的渠道,企图以此遏制中国芯片产业的崛起。然而,历史无数次证明,外部压力往往能激发自主创新的强大动力。在存储芯片领域,长江
浙江大学邱建荣教授联合昆明理工大学陈智教授、宁波大学钟理京研究员、华中科技大学张静宇研究员、新加坡国立大学仇成伟教授团队提出了一种新型的纳米制造技术——湿化学刻蚀辅助的单脉冲飞秒激光增强光刻技术(WEALTH),该技术能够在大面积上制造具有高纵横比和小特征尺寸
9月4日中微公司在第十三届半导体设备与核心部件及材料展上推出六款新设备,涵盖高深宽比&选择比刻蚀、ALD、EPI等设备。
刻蚀新品高深宽比CCP与金属刻蚀ICP,有望充分受益于制程演进:(1)公司新一代高深宽比CCP刻蚀机Primo UD-RIE基于成熟架构升级,配备六个反应腔,通过更高功率更低频率射频偏压电源,提供更高离子轰击能量,可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求,兼顾刻蚀精度